高频退火设备的基本工作原理是啥　　

高频退火设备在通过离子注入之后就必须退火。由于往半导体材料中引入残渣正离子时，高效率能量的出射正离子会与半导体材料晶格常数上的原子撞击，使一些晶格常数原子产生偏移，結果导致很多的位置，将促使引入区中的原子排序错乱或是变为为非晶区，因此在离子注入之后务必把半导体材料放到一定的温度下开展退火，以修复结晶的结构特征和清除缺点。与此同时，退火也有激话施主和受主残渣的作用，即把有一些处在空隙部位的残渣原子根据退火而让他们进到取代部位。退火的温度一般为200~800C，比热容蔓延夹杂的温度要低得多。